Вакуумная система для покрытия и травления поверхностей большой площади scia Cube 300
Система scia Cube 300 предназначена для обработки больших поверхностей плазмой высокой плотности. Система обеспечивает напыление покрытия с высокими скоростями и в широком диапазоне параметров нанесения. Кроме того, возможны процессы травления с применением кислорода или галогенов для обеспечения высокой степени анизотропности травления и/или оптимальной избирательности.
ОСОБЕННОСТИ И ПРЕИМУЩЕСТВА
- Обработка больших поверхностей с помощью массива синхронизированных линейных источников микроволнового излучения
- Независимая система ВЧ смещения подложкодержателя для бомбардировки образца ионами высокой энергии
- Охлаждение (-10°C) или нагрев (850°C) подложек
- Процесс очистки рабочей камеры «на месте»
СФЕРЫ ПРИМЕНЕНИЯ
- Технологии PECVD [плазмохимическое осаждение из газовой фазы]
- Осаждение диэлектрических пленок (например, инкапсуляция, барьерные покрытия, электроизоляция (SiO2, Si3N4,…))
- Оптические и устойчивые к царапинам покрытия (гидрогенизированный аморфный углерод, алмазоподобное углеродное покрытие)
- Выращивание нанокристаллических алмазных и углеродных нанотрубок
- Технологии RIE (реактивное ионное травление)
- Реактивное травление и формирование структуры металлов (Ni, Cr, Pt,…)
- Травление дифракционных решеток и других структур в оптических материалах (кварц, плавленый кварц)
- Озоление фоторезиста
Полученное на сканирующем электронном микроскопе изображение выращенных слоев синтезированного алмаза, легированного бором (BDD), предоставлено Словацким технологическим университетом в Братиславе. Обработка при очень низкой температуре (390°С). Скорость роста высококачественного BDD достигает 70 нм/ч.
ПРИНЦИП ДЕЙСТВИЯ
- Плазмохимическое осаждение из паровой фазы (PECVD), реактивное ионное травление (RIE)
- Плазма реактивных газов создается микроволновыми источниками (генераторами СВЧ излучения)
- Бомбардировка ионами высокой энергии с использованием высокочастотного смещения
Технические параметры
| Размеры подложек | до 300 мм x 200 мм |
| Держатель подложки | С водяным охлаждением, РЧ уклон |
| Температура подложек | Опционально криогенное охлаждение до -10 °C или нагрев до 850 °C |
| Источник плазмы | 2 линейных микроволновых источника (PL400) и/или РЧ параллельное расположение пластин, 13,56 МГц |
| Скорость осаждения | Алмаз: 30…70 нм/ч, DLC: 7,5 нм/мин. |
| Источник питания | MW мощность: макс. 9 кВт РЧ мощность: макс. 0,6 кВт |
| Давление | < 1 х 10-6 мбар |
| Размеры (ШхГхВ) | 1.30 м x 1.90 м x 1.50 м (без шкафа управления и насосов) |
| Конфигурация | 1 рабочая камера, 1 система загрузки |
| Интерфейс ПО | SECS II / GEM, OPC |
