scia Trim 200 для ионно-лучевого тримминга

scia_Trim_200scia Trim 200 предназначена для высокоточного тримминга толщины пленок. Типичным применением системы являются тримминг (обрезка) частоты и толщины при производстве акусто-электрических устройств и фильтров, реализованных на объемных акустических волнах (ОАВ) и поверхностных акустических волнах (ПАВ), локализованная обрезка полюсов для тонкопленочных головок (TFH), корректировка сопротивления тонкопленосных резисторов.

scia Trim 200 это высокопроизводительная система со стандарным роботом загрузчиком, может содержать до 2х   кластеров. Система может комплектоваться кассетной загрузкой/выгрузкой.

Принцип ионно-лучевого тримминга

Рис.2 Принцип ионно-лучевого тримминга

Принцип работы
* Сфокусированный ионный пучок с размером пятна диаметром в несколько миллиметров
* Ионный луч сканирует паверхность пластины, изменяя время выдержки в разных местах пластины, чтобы точно удалить нужное количество материала
* Программное обеспечение расчитывает соответствующую карту времени задержи и профиль скорости сканирования для каждой пластины на основе индивидуальных входных данных

Применение
* Тримминг частоты фильтров ОАВ и ПАВ
* Тримминг толщины танталата лития, ниобата лития, кварцевых пластин
* Коррекция ошибки толщины и высоты ступеньки в производстве тонкопленочных головок (TFH)
* Коррекция размеров в производстве компонентов МЭМС (MEMS)

sciaTrim200-wafer-before sciaTrim200-wafer-after Стандартное отклонение
до: 3 нм
после: 0.13 нм
фактор улучшения: 21.3 Средняя толщина
до: 365.3 нм
после: 346.1 нм
целевая: 346.0 нм

Технические характеристики

Диаметр подложки 100 мм, 125 мм, 150 мм, 200 мм
Держатель подложки гелиевое охлаждение подложки, механический зажим
с минимизированным ограничением с краев
Ионный источник RF37-i
Нейтрализатор горячий катод N-Fil или ВЧ источник N-RF
Типичные скорость для SiO2 3.8 x 10-3 мм3
Движение по осям Макс скорость 0.5 м/с макс. ускорение 15 м/с2
Отклонение толщины пленок < 0.5 нм RMS (зависит от качества поверхности на входе)
Базовое давление < 1x 10-6 мбар
Размеры системы (ШхГхВ) 1.40х2.80х2.20 м
(без электрической стойки и насосов)
Конфигурация 1 process chamber, 1 load-lock
2 process chambers, 1 load-lock
2 process chambers, 2 load-locks
Интерфейс ПО SECS II / GEM

План scia Trim 200

000pdf Скачать брошюру "Trim 200" (rus. - .pdf)