Установки ионно-лучевого травления

В области ионно-лучевых технологий, компания scia Systems производит весь диапазон продукции, начиная с ионно-лучевого фрезерования и реактивного ионно-лучевого травления, и заканчивая двойным ионно-лучевым напылением. Данные технологии доступны с особой компоновкой источника на платформах, которые могут принимать все стандартные диаметры полупроводниковой пластины наряду с более крупными образцами заказчика. 

scia Mill для ионно-лучевого травления и фрезерования (IBE/IBM)

csm_scia_Mill_150

Ионно-лучевое травление и фрезерование (IBE/IBM) обозначает физическое напыление с инертными газами для удаления атомов с подложки. Посредством ионно-лучевого фрезерования можно осуществить травление любого материала вне зависимости от его прочности или точки плавления.
scia Mill может также применяться для травления с реактивными газами (RIBE), а также для химического ионно-лучевого травления (CAIBE). Система состоит из держателя подложки, который может поворачиваться и вращаться и имеет фоновое охлаждение гелием. Данное оборудование, в основном, используется в области научно-исследовательских разработок, а также мелкосерийного производства.

Область применения
• Структурирование MEMS и датчиков;
• Структурирование магнитной оперативной памяти (MRAM) и GMR/TMR датчиков;
• Структурирование слоев из металла и диэлектрика;
• Ионно-лучевое сглаживание;
• Микро структурирование;
• Реактивное травление полупроводников III/V (например, GaAs, GaN, InP).

scia Trim 200 для ионно-лучевой настройки (IBT)

scia_Trim_200scia Trim 200 – это высокопроизводительная система, которая состоит из стандартного кассетного робота для перемещения полупроводников. Также доступна кластерная аппаратура с двумя технологическими камерами и двумя кассетными загрузочными шлюзами.


Область применения
• Настройка частоты фильтров объемной (BAW) и поверхностной (SAW) акустической волны;
• Настройка толщины полупроводниковых пластин из тантала лития, ниобата лития, КИН или кварца;
• Коррекция толщины пленки или высоты шага при производстве с помощью тонкопленочной головки (TFH);
• Коррекция размеров при производстве компонентов микроэлектромеханических систем (MEMS).