scia Magna 200 для магнетронного напыления

scia_Magna_200scia Magna 200 использует уникальную архитектуру двойного магнетронного кольца для достижения очень высокой однородности покрытия при впечатляюще высоких темпах напыления. Обычно области применения включают в себя пьезоэлектрические слои, оптические покрытия и пассивирование слоёв.

Система доступна либо с одиночной загрузкой пластин или автоматическим манипулятором в кластерной конфигурации. Его усовершенствованный подложкодержатель имеет возможность одновременного вращения, охлаждение подложек гелием и РЧ наклон.

Специальный источник напыления DRM 400 от Fraunhofer FEP имеет 2 концентрические мишени в виде колец с индивидуально управляемой мощностью разряда, что обеспечивает неравномерность слоя менее ± 0,5% (на диаметре более 200 мм). В тоже время, могут быть достигнуты очень высокие скорости напыления в реактивном режиме. Благодаря интегрированным механизмам управления, обеспечивается долговременная стабильность обработки.

shema drm-tipa                            scia Magna 200-neodnorodnost

Схема магнетронного источника                            Неоднородность покрытия на пластине диаметром
напыления DRM-типа                                                   200 мм для DRM 400 от Fraunhofer FEP

Особенности

  • Двойной магнетрон (DRM 400) с режимами постоянного тока, одно- и биполярных импульсов
  • Высокая скорость напыления (5 нм/с для SiO2 и 3 нм/с для Al2O3)
  • Неравномерность толщины плёнки менее ± 0,5 % для пластин 200 мм
  • Точная регулировка реактивных процессов для высоких скоростей напыления и долговременной стабильности
  • Автоматическая магнитная регулировка для компенсации эрозии мишени
  • Держатель подложки с РЧ смещением, вращением 20 об/мин и охлаждаемой гелием задней стенкой пластины
  • Доступна кластерная компоновка

Применение

  • Термокомпенсационные плёнки для оптических устройств (SiO2)
  • Пьезоэлектрические плёнки с отличной
  • кристаллической направленностью (AlN)
  • Оптические покрытия (Si3N4, SiO2, HfO2, Ta2O5, Al2O3)
  • Плёнки-изоляторы (Si3N4, SiO2, Al2O3)

Технические характеристики

Диаметр подложки до 200 мм
Держатель подложки

Охлаждаемый водой, вращение до 20 об/мин, тыльная
сторона, охлаждаемая гелием, РЧ наклон

Источник напыления Двойной магнетрон DRM 400 от Fraunhofer FER
Режимы напыления Пост. ток, РЧ, режим одно- и биполярного импульса
Обычные скорости осаждения 5 нм/с для SiO2, 3 нм/с для Al2O3,
12...25 нм/с для металлов
Неоднородность ≤ 0.5 %
Базовое давление < 1 х 10-6 мбар
Размеры системы (Ш х Г х В) 1.20 м x 2.00 м x 2.20 м
(без электрической стойки и насосов)
Конфигурация Одиночная шлюзовая загрузка
Кластерная система с кассетным управлением
Интерфейс ПО SECS II / GEM, OPC

scia Magna 200-eskiz 

000pdf Скачать брошюру "scia Magna 200" (rus. - .pdf)