scia Mill 200 для ионно-лучевого травления
scia Mill 200 предназначена для травления с высокой однородностью и фрезерования ионным лучом подложек типа пластин диаметром до 200 мм. Пластины загружаются с помощью автоматического манипулятора. Обычно применяется в задачах структурирования сложных многослойных материалов с очень низкой степенью загрязнения. По этой причине система мониторинга SIMS (на базе масс-спектрометра вторичных ионов) может быть интегрирована в установку для анализа процесса и автоматического завершения цикла травления.
scia Mill 200 может быть использована для травления ионным лучом (IBE) с инертными газами. Дополнительно система может быть применена для реактивного ионного травления (RIBE), а также для химически стимулированного ионно-лучевого травления (CAIBE).
Система может быть модернизирована для реализации двойного ионно-лучевого осаждения (DIBD), с дополнительным источником ионного распыления и держателем мишени.
Особенности
* Большая площадь травления ионным лучом
* Травление с инертными газами
* RIBE и CAIBE с реактивными газами
* Травление под определенным углом
* Держатель подложки с водяным охлаждением и гелиевым охлаждением подложки
Рис.2 Принцип работы scia Mill 200
Применение
* Структурирование MEMS и датчиков
* Структурирование MRAM и TMR/GMR сенсоров
* Структурирование металлических и
* диэлектрических многослойных покрытий
* Выглаживание ионным лучом
* Микроструктурирование
* Реактивное травление III/V полупроводников (например, GaAs, GaN, InP)
Травление слоёв для спинтронного датчика с помощью SIMS-спектроскопии позволяет определить границы изменения слоя, тем самым можно точно определить точки изменения углов и точек травления.
Слева: слои
Справа: обнаружение материала SIMS.
Технические характеристики
| Диаметр подложки | до 200 мм |
| Держатель подложки | Держатель подложки с водяным охлаждением и гелиевым охлаждением подложки. Вращение подложки от 5 до 20 об/мин Поворот на месте от 0° до 175° с шагом 0.1° |
| Источник ионного луча | Круговой микроволновый источник 350 мм (RF350-e) |
| Нейтрализатор | Нейтрализующий плазменный мост RF (N-RF) |
| Типичные скорости травления | Sio2: 20 нм/мин Pt: 35 нм/мин Cu: 24 нм/мин W: 17 нм/мин |
| Неоднородность | ≤ 1.0 % |
| Базовое давление | < 5 х 10-7 мбар |
| Размеры системы (ШхГхВ) | 3.20х2.50х2.50 м, для 3 камер (без электрической стойки и насосов |
| Конфигурация | - 1 рабочая камера - Блокировка нагрузки на одну подложку (опционально) - Кластерная система с 3 технологическими камерами - Обнаружение конечной точки на основе OES или SIMS (опционально) |
| Интерфейсы ПО | SECS II / GEM, OPC |
