Scia Mill 200 для ионно-лучевого травления

scia_Mill_200scia Mill 200 предназначена для травления с высокой однородностью и фрезерования ионным лучом подложек типа пластин диаметром до 200 мм. Пластины загружаются с помощью автоматического манипулятора. Обычно применяется в задачах структурирования сложных многослойных материалов с очень низкой степенью загрязнения. По этой причине система мониторинга SIMS (на базе масс-спектрометра вторичных ионов) может быть интегрирована в установку для анализа процесса и автоматического завершения цикла травления.

scia Mill 200 может быть использована для травления ионным лучом (IBE) с инертными газами. Дополнительно система может быть применена для реактивного ионного травления (RIBE), а также для химически стимулированного ионно-лучевого травления (CAIBE).

Система может быть модернизирована для реализации двойного ионно-лучевого осаждения (DIBD), с дополнительным источником ионного распыления и держателем мишени.

Особенности
* Большая площадь травления ионным лучом
* Травление с инертными газами
* RIBE и CAIBE с реактивными газами
* Травление под определенным углом
* Держатель подложки с водяным охлаждением и гелиевым охлаждением подложки

scia_Mill_200_printsip_raboti

Рис.2 Принцип работы scia Mill 200

Применение
* Структурирование MEMS и датчиков
* Структурирование MRAM и TMR/GMR сенсоров
* Структурирование металлических и
* диэлектрических многослойных покрытий
* Выглаживание ионным лучом
* Микроструктурирование
* Реактивное травление III/V полупроводников (например, GaAs, GaN, InP)

Ионно-лучевое травление SiO2 аргоном на 200 мм

Рис.3 Ионно-лучевое травление SiO2 аргоном на 200 мм пластине: неоднородность 2 %, скорость 16 нм/мин

Технические характеристики

Диаметр подложки до 200 мм
Держатель подложки Держатель подложки с водяным охлаждением и
гелиевым охлаждением подложки
Вращение подложки от 5 до 20 об/мин
Поворот на месте от 0° до 170° с шагом 0.1°
Источник ионного луча Круговой микроволновый источник RF350-e
Нейтрализатор Нейтрализующий плазменный мост N-RF
Типичные скорости травления Sio2: 20 нм/мин
TiW: 12 нм/мин
Cu: 24 нм/мин
Неоднородность ≤ 2.0 %
Базовое давление < 1 х 10-6 мбар
Размеры системы (ШхГхВ) 2.70х1.70х2.70 м, без электрической стойки и насосов
Конфигурация Одиночная загрузочная шлюзовая камера
Кластерная система с кассетной загрузкой
Интерфейсы ПО SECS II / GEM

Scia Mill 200 с манипулятором

Рис. 4 Эскиз Scia Mill 200 с манипулятором MX 400

000pdf Скачать брошюру "Scia Mill 200" (rus. - .pdf)